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XPS高温退火相关论文
C^+注入a-SiNx:H的原子化学键合的研究
常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H薄膜进行C^+注入,能量为30keV,剂量为2×10^17cm^-2.对C+注入的SiNx薄膜在......
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XPS高温退火
X-ray photoelectron spectroscopy C^+ implantation thermal ann
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