ZNS纳米线相关论文
ZnS是重要的ⅡB-ⅥA族直接带隙半导体材料,在光电器件中如发光二极管、激光器和紫外光探测器件中有重要的应用价值。众所周知,材料......
ZnS作为宽禁带半导体材料,由于有较大的激子束缚能(38meV),已在激光器、传感器、背光源等有广泛应用.ZnS纳米线、纳米带,薄膜等表......
以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,利用水热法通过二吡啶硫氰酸锌分解制备了ZnS纳米线,并用SEM、XRD、EDX和HR-TEM等方法......
硫化锌作为一种性能优良的发光材料和光电材料拥有很好的应用前景,所以制备纳米半导体材料硫化锌受到了众多学者的关注。本文是采......
以没有去除阻挡层的阳极氧化铝膜作为模板,在溶解有ZnCl2和单质硫的二甲基亚砜溶液中进行直流电沉积,并将电沉积所得的样品在不同......
摘 要：本实验研究ZnS纳米线在不同介质中发光行为。经过实验结果证明，ZnS纳米线在0.1mol/L K2S2O8水溶液电化学发光强，而在碱性溶液和......
用十二烷基硫醇做表面活性剂,用水热法在180℃,12h条件下制备了ZnS纳米线.实验发现硫醇可以诱导ZnS纳米粒子沿着一维方向生长.所得......
采用金催化和直接蒸发ZnS粉末的方法，合成出大量具有纤锌矿结构的单晶ZnS纳米线。该纳米线的线径均匀，线形规则，直径在80-120nm，长度约......
以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为表面活性剂,利用水热法通过二吡啶硫氰酸锌分解制备了ZnS纳米线,并用SEM、XRD、EDX和HR-TEM等方法对......
