ZnO薄膜晶体管相关论文
ZnO-TFT具有低温生长、高迁移率以及全透明的优点,具有取代Si基器件成为下一代薄膜晶体管技术的可能,有很大的应用前景。而其材料......
显示技术的发展对薄膜晶体管(TFTs)提出了更高的要求。要求高性能的同时要求高透光率且可与柔性衬底集成。金属氧化物TFT具有优于......
在低温条件下(90℃)使用射频磁控溅射在表面长有100 nm厚的氧化硅绝缘层的硅衬底上沉积ZnO薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,然后放入......
