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Raman Study of Defects in SI-GaAs and Se-doped Epitaxial Layer Irradiated by 10 MeV Electrons
RamanStudyofDefectsinSI-GaAsandSe-dopedEpitaxialLayerIrradiatedby10MeVElectronsWuFengmei,LiHaifeng,ChenWuming,ChengGungxuandH.........
期刊
Undoped
SI-GAAS
Se-doped
EPITAXIAL
LAYER
RAMAN
technique
10
MEV
electron-irradia
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