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n—M0sFET相关论文
SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响
提出了一种基于器件物理的4H—SiCn—MOSFET反型沟道电子迁移率模型,该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响......
期刊
SIC
n—M0sFET
SiO2/SiC界面
迁移率
SiCn-MOSFETSiO2/SiC interfacemobility
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