p^+n结相关论文
本文从实验的角度研究了具有场板和场限制环的P^+N二极管的击穿特性,给出了场环至主结的最佳间距与衬底浓度和结深的关系曲线,并从物......
讨论了制作pn结的另一种途径,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型p+层来获得p+n结.通过对制作工艺及实......