p-型掺杂相关论文
本文报道使用热壁CVD生长系统在4英寸、4°偏角衬底上进行的4H-SiC p-型掺杂与GTO晶闸管器件所需的pnpn材料结构生长.在30 μm/h的......
会议
取代掺杂被认为是一种有效调控石墨烯电学性质的方式之一,进而使其应用于光电器件,太阳能电池等方面.我们发展了一种同时含硼,......
随着能源需求总量持续不断攀升,能源供给结构优化调整步伐加快,太阳能光伏技术有望成为缓解目前环境、能源供给压力的最有效解决方......
ZnO基半导体在蓝光和紫外光发射、高密度存储、气敏传感器、表面声波器件、太阳能电池、显示器件、压电器件、高温微电子器件、光......
ZnO作为重要的第三代半导体材料在光电领域具有广泛的应用前景因而引起越来越多的关注,ZnO薄膜的p型掺杂是实现ZnO基光电器件的关......
采用沉淀法制备了YzOs／Sin3-下转换发光粉，利用X射线衍射、荧光光谱对其进行了表征，并利用该发光粉具有下转换发光的特点将其应用于染......
采用沉淀法制备了Y2O3／Sm3＋下转换发光粉，利用X射线衍射、荧光光谱对其进行了表征，并利用该发光粉具有下转换发光的特点将其应用于染料......
有机电致发光器件(OLEDs)在新型显示和固态照明领域虽然已初步进入实用化阶段,但仍然存在某些问题,特别是白光OLEDs的效率和寿命亟......
近几十年来,有机电致发光器件（Organic Light-emitting Devices,OLEDs）以其轻薄、柔性、低功耗和面光源等诸多优越性能已经成为下一......
作为一种传统的热电材料,Bi2Se3是目前为止发现的带隙最大的拓扑绝缘体（其带隙约为0.3eV）,在无能耗电子器件和量子计算上有着广泛的......
