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碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征
采用简单的碳热还原法,以碳粉和Si02微粉分别作为碳源和硅源,在1550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射(XI国)、扫......
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