严荣良相关论文
通过研究￣（６０）Ｃｏｒ射线对ＭＯＳＦＥＴ跨导的影响，定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面态密度增加分别与ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ的跨导衰降之间的依赖关系。试验......
研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受......
通过研究６０Ｃｏγ射线对ＭＯＳＦＥＴ的线性特性和输出特性的影响，定性地描述了氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态增加分别与Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ的迁移率μ退化、跨导ｇｍ下降以及输出......
分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的......
通过测量高频Ｃ－Ｖ迟滞曲线研究了ＭＯＳ电容中慢界面态的特性．发现金属化后退火（ＰＭＡ）前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级，但ＰＭＡ后完全消失；相反......
对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有......
在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结......
采用Ｉ－Ｖ亚阈测量技术，分析了封闭栅和条形栅结构ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件的ｌｏｇＩ－Ｖ曲线亚阈斜率和阈电压的总剂量电离辐照特性，以及不同的辐照偏置条件对上述两个电......
ＲＡＤＩＡＴＩＯＮＥＦＦＥＣＴＯＮＦＬＵＯＲＩＮＡＴＥＤＳｉＯ＿２ＦＩＬＭＳ￥ＺｈａｎｇＧｕｏｑｉａｎｇ（张国强）；ＹａｎＲｏｎｇｌｉａｎｇ（严荣良）；ＹｕＸｕｅｆｅｎｇ（余学锋）；ＧａｏＷｅｎｙｕ（高文钰）；ＲｅｎＤｉｙｕａｎ（任迪远）（Ｘｉｎｊｉ...
RADIATIONEFFECTONFLUORINATEDSiO_2FILMS ¥ ZhangGuoqiang (Zhang Guoqiang); YanRonglian......
ＥＦＦＥＣＴＯＦＴＯＴＡＬＩＲＲＡＤＩＡＴＩＯＮＤＯＳＥＯＮＭＯＳＦＥＴｓ／ＳＯＩＧａｏＪｉａｎｘｉａ（高剑侠）；ＹａｎＲｏｎｇｌｉａｎｇ（严荣良）；ＲｅｎＤｉｙｕａｎ（任迪远）（ＸｉｎｊｉａｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ｔｈｅＣｈｉｎｅ...
EFFECTOFTOTALIRRADIATIONDOSEONMOSFETs / SOIGaoJianxia (high swordsman); YanRongliang (Yan Ronglia......
期刊
研究分析了４０００系列ＣＭＯＳ器件电离辐射感生漏电流的产生机制、变化特征及其与加固水平的关系；控讨了辐射感生静态功耗电流，其中特别是场氧化层......
ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及......
本文对一种由计算机自动控制并进行数据采集的电子元器件总剂量辐照现场测试系统进行了描述，并通过应用该系统对ＣＭＯＳ数字电路ＣＣ４０６９进行与总剂......
