介质薄膜相关论文
从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手,较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元的影响.通过......
在过去的几十年里,互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor,CMOS）晶体管的不断缩小为计算和信息技术的指数......
介质储能器件是电力、电子系统中广泛使用的重要器件,随着电子设备不断微型化和植入化,以及对高电荷储能密度的渴望,对分子级储能......
提出一个在分光计平台上同时测量介质薄膜厚度与折射率的实验方案.改变光线入射角,测量薄膜样品的反射率,利用数值拟合的方法同时......
本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中......
本文研究介质薄膜场致发射的模拟计算方法.介绍了场致发射的基本计算公式以及实体模型透射系数的求解,简化模型伏安特性的计算结果......
储能介质是通过在电场下的极化储存电荷，可用于电能的超快存储和释放（电容）以及调控半导体活性材料中载流子的迁移（门介电）等，广泛应用于......
研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量......
本文用等效薄膜法研究和计算了矩形波纹波导的几何参量对驻波比的影响。与实验对比的结果表明，等效薄膜法是可行的，特别是用该方法给......
本文综述了近年来国外电镀及化学镀磁记录介质薄膜的最新研究进展、电镀及化学镀镀液组成、工艺条件及其对薄膜性能的影响、存在问......
提出了一种插入损耗较低、介质薄膜生长在桥膜上的新结构微波MEMS开关.该开关桥膜由介质/金属/硅三种薄膜构成,并采用键合和自停止......
利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代 SiO2作为栅介质的 HfAlO 膜。薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非......
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应......
激光光束空间低通滤波技术是提高光束空域质量的重要手段之一。随着高能激光技术的进一步发展，传统的针孔滤波技术因其对光束的聚焦......
法布里-珀罗（Farby-Perot）干涉型光纤传感器是近年来光纤传感领域研究的热点之一。相比其它类型的光纤传感器，F-P干涉型光纤传感器具......
物理讨论会主题:薄膜材料与物理地点:中国合肥时间:1996.6.24～6.28承办:中国科学技术大学内容:半导体薄膜磁性薄膜介质薄膜超导薄膜......
云南大学物理系研制设计的《YUP-2型双枪脉冲电子二次发射系数测量装置》于1990年5月29日通过技术鉴定.鉴定委员会认为,“该装置......
高频溅射是近年来薄膜技术的重要发展。这是由于它能制备各种金属、半导体以及介质薄膜,并且具有膜纯、附着牢、成份可保持不变等......
在硅太阳电池表面涂敷一层折射率适当的透明介质薄膜,可以在很宽波长范围内降低反射率。一般认为,Ta_2O_5膜是比较理想的,它是一......
研究光学介质薄膜横断面,是剖析膜层内部细微结构变化的重要手段。光学介质薄膜的厚度,多层膜厚达几万埃,而单层膜厚只有二千埃左......
本文阐述了铝氧化电沉积法获得磁记录材料的基本原理,研究了铝交流氧化膜中沉积磁性金属及其合金制备垂直磁记录薄膜的新途径,建立......
讨论了用单侧漏模法测量薄膜共振漏模的耦合角、计算漏模的有效折射率并由相应的模方程来确定各向异性聚合物薄膜折射率ｎ０、ｎｅ及厚度ｄ的......
利用薄膜上下表面形成的反射光干涉相消解释增透膜原理时,增透膜中能量的分配很让人费解,本文对此作详细讨论.
The use of reflec......
现代光学装置，如摄影机和电影放映机的镜头，潜水艇的潜望镜等，都是由许多光学元件──透镜、棱镜等组成的。一般说来，组成光学系统的透......
本文用射频磁控溅射方法在p-Si83Ge17/Si压应变衬底上沉积制备HfO2栅介质薄膜,研究其后退火处理前后的电学性能,并与相同条件沉积......
半导体收音机上应用的一种重要部件——介质薄膜小双连可变电容器制造工艺中,有一个困难问题,就是动片边缘及冲口等处的毛刺如何......
本文研究介质薄膜的各种特性:折射率和吸收系数、光散射、结构、显微结构、密度、气体吸收、化学成分、均匀度、附着力、硬度和机......
本文提出了InP系光电器件介质薄膜电特性检测中所遇到的两个特殊问题:管芯倒装在镀铟铜基座上测量时铟层凹陷致使介质薄层边缘短路......
用目前的光刻技术使同一硅片上各图形的套准偏差小于1微米是困难的,本文提出的侧向选择腐蚀对准工艺可以达到这个要求。这种工艺的......
本文介绍了用背散射和核反应技术分析用LPCVD 方法制备的氮化硅薄膜的方法及其结果.本方法包括用背散射和沟道效应相结合的方法直......
一、前言在前文中谈到,由于钽及其氧化膜具有许多优良的性能,所以在1956年就出现了固体钽电容器。经过二十多年来的发展,现在钽电......
本文讨论介质薄膜的各种特性,计有折射率、吸收率、光的散射、结构、微观结构、密度、气体吸收、化学组分、均匀性、附着性、硬度......
一、前言 薄膜材料的类型较多,本文所谈的是金属薄膜和介质薄膜。正如大家所知道的,这两类薄膜广泛地用于各种电子元器件、薄膜集......
本文主要介绍利用SEM对几种介质薄膜厚度的直接测定,并讨论了其应用的范围及测量精度,在集成电路的研制工艺中,需要研制多种同质和......
在用来自于汞灯的185nm紫外光直接光解SiH/NH_3混合气体的基础上,采用光-CVD(化学气相淀积)技术在硅衬底上淀积了氮化硅薄膜。在没......
骊山微电子公司研制的一种“湿法化学腐蚀装置”是一种用于腐蚀介质薄膜的装置,这种装置特别适用于半导体器件生产工艺中的氮化硅......
研究钽硅介质薄膜,有两个目的:(1)用同一薄膜材料制成阻容元件,简化薄膜电路的制造工艺;(2)改进钽基介质薄膜的性能。 对钽硅电阻......
集成光学是七十年代初开始迅速发展的一门边缘学科和新兴技术。到目前为止,集成光学还是不成熟的。尽管如此,它已在光通信、光计算......
采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71......
