基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并制备了一款2～18 GHz的超宽带低噪声放大器（LNA）单片微波集成电路（MMIC）。该款放......

随着移动通信技术的发展以及5G时代的来临,信息的传输速率越来越快。低噪声放大器作为移动通信系统接收机的前级,其在通信系统中具......

射频集成电路中的ESD设计已经成为影响射频集成电路可靠性和射频性能的严重问题。为了达到更大的ESD鲁棒性，需要更大面积的ESD器件，......