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低温GaN插入层相关论文
V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响
使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGa......
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硅衬底
近紫外LED
低温GaN插入层
V形坑尺寸
光电性能
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