真空单源共蒸发法制备Zn掺杂SnS2薄膜,氮气保护对薄膜进行不同条件热处理.用X射线衍射仪、原子力显微镜、手动轮廓仪、光电子能谱......

将单质Cu、In和S粉末按一定比例均匀混合,单源共蒸发沉积CuInS2薄膜.氮气保护对薄膜进行热处理.研究不同热处理条件对薄膜表面形貌......

高纯Sn和S粉按1∶0.41（质量分数,%）配比,均匀掺入9（质量分数,%）的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD......