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硅台垂直双栅器件结构和特性研究
该论文完全基于平面MOS工艺,提出民硅台垂直双栅器件的结构,摸索出了可行的工艺方案,完成了短沟双栅自对准的硅台垂直双栅MOSFET器......
学位
硅台垂直双栅
多晶硅
沟道电势
自对准
Halo
单边LDD
刻蚀
MOSFET
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