多晶硅氧化相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

多晶硅氧化相关论文

功率RF LDMOS的关键参数研究

在功率RF LDMOS器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往......

期刊

RF LDMOS 击穿电压截止频率多晶硅氧化

应变硅能带与新型硅基MOS器件结构研究

将近五十年前,Intel公司创始人之一的Gordon Moore发现,每个IC芯片上晶体管的集成度都以每18个月翻一番的速度增加,该论断被称为“......

学位

应变硅能带结构 STI倾角多晶硅氧化

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