带间跃迁相关论文
带间级联激光器在军事和民用上具有重要的应用价值。传统GaInSb/InAs/GaSb结构的有源区多量子阱的光学增益相对较小,特别的在高温......
多能带量子力学体系是固体物理，量子化学等研究领域的重要模型，通常由一类Schr（o|¨）dinger方程来描述，典型的例子有，描述电子在晶体中运......
红外辐射是自然界中大量存在的信号与能量,但却无法被人眼感知。而红外探测则是人类认识自然界的极其重要的武器,能扩展人类的视野......
本文使用宽带和频光谱研究不同电位下碱性溶液中多晶金电极表面硫氰根离子(SCN-)的吸附行为.在-1.1 V~0.2 V(vs.SCE),C—N伸缩振动......
近来对在谐振腔中引入借助AB族半介电质晶体产生的非线性光学负反馈的谐振腔Q值控制法正进行紧张的研究。它能够显著地延长脉冲激......
本文报导了ＺｎＳ－ＺｎＴｅ应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质．通过测量室温下光致发光光谱，对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究．
In......
本文报道我们率先研制出的３～５．３μｍＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能．该探测器具有光伏特征，７７Ｋ温度、±７Ｖ外偏压下的５００Ｋ黑体探测率达到约１．０×......
报道了在钙钛矿型结构的 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的 Ｇａ Ａｓ半导体单晶薄膜．应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了 ......
纳米光子学国际会议于 1 999年 3月在俄罗斯科学院微结构物理研究所的所在地下诺夫戈罗德举行。这已是有关半导体纳米结构物理的第......
英国St.Andrews大学的物理学家已研制成一种带中红外输出的光学参量振荡器(OPO)。由于该器件所显示的脉冲重复频率最高达到了322 ......
对 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱 (μ- PL)测量 ,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直......
半导体量子阱（QW）次带间跃迁（ISB-T）有超快弛豫时间、大跃迁偶极矩和跃迁波长可调谐性大等优点。在级联激光器、光电探测器和光学开关......
在有效质量近似下,从理论上研究了非对称双三角量子阱的拉曼散射。推导了导带子带间电子跃迁的微分散射截面表达式,以GaAs/AlxGa1-......
给出了一种在非粒子反转条件下量子阱和量子点激光器的红外发射机理.此种红外发射是基于在同一作用区产生并作为红外场相干源的两......
本文研究了双壳层核壳结构量子点带间自发辐射特性,采用有效质量近似理论计算了球形和圆柱形PbSe/CdSe/ZnSe核壳结构量子点的本征......
利用半导体布洛赫方程,讨论了量子阱在沿其平面方向偏振的太赫兹场驱动下的光学吸收谱。研究结果揭示了半导体量子阱在沿平面方向......
随着世界上能源需求的增加和化石燃料的短缺,人们也越来越渴望研发出新的技术能够更有效地将太阳能有效转化成氢气、碳氢化合物或......
本文讨论了通过“多约束非线性方程组”解析真空紫外薄膜光学常数的方法。编制的VUV—ROCP微机软件,可由真空紫外反射率解析出真空......
研究了射频溅射法制备的磁性颗粒膜的光学特性．发现在In2O3母体材料中嵌入Fe颗粒的磁性颗粒膜中，电子的带间跃迁由In2O3的直接跃迂变......
在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格......
介绍了用多功能光栅光谱仪测量GaN膜的吸收系数、折射率等光学参数的方法 ,并对结果进行了分析比较
The method of measuring opt......
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气......
用自洽计算的方法研究了极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的......
CCD的控制能力,即单位电极面积所能处理的最大电荷密度Q_(max),是CCD的一个重要参数。我们知道,控制能力差就可能限制窄带半导体I......
本文对Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的子带间跃迁能的压力关系做了77K低温下的光荧光光谱研究.实验结果表明,未掺杂的量子阱......
利用连续运行的可调谐CO_2激光器,我们进行实验观察100K时N型Hg_(0.3)Cd_(0.2)Te带间跃迁的非线性光电导,着重研究了吸收系数、光......
4—3 氧化物涂层的电阻 碱土金属氧化物是一种宽禁带的半导体。其内由于带间跃迁出现的电流载流子浓度较低。实际上,全部导电电子......
用选支连续CO_2激光器为光源,首次对x=0.2 组分的n型Pb_(1-x)Sn_xTe 单晶进行了法拉第构象下圆偏振光的磁光反射光谱的测量.样品温......
采用半经验的紧束缚方法计算了与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的电子联合状态密度及介电常数虚部,并根据Kramers......
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空......
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射......
最近有一种新的材料——半磁性半导体,由于其新颖的光学及磁光效应引起了人们的广泛兴趣。Zn_(1-x)Mn_xSe即是一种宽带半磁性半导......
用电子能量损失谱(EELS)研究了金刚石膜、类金刚石膜和高取向石墨的特征能量损失峰.金刚石膜的特征峰主要是5.4eV和15eV的带间跃迁......
在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁．控制掺杂浓度与周期，来控制电子（空穴）跃迁的有效能隙，可望制......
在γ跃迁能量中扣除了ΔＩ＝４分岔的影响后，根据ａｂ公式，系统讨论了Ａ～１９０区偶偶核超形变带，给出了绝大多数超形变带的自旋值。部分超形变带的自旋指......
我们向１９９５年新当选的物理学方面的中国科学院院士表示衷心的祝贺 本刊从本期开始陆续介绍新当选的物理学方面的中国科学院部分院士．
W......
本文报导了我们在波长覆盖4.8-10微米基於带内子带跃迁的InP基量子级联激光器和2.0-2.1微米GaSb基带间跃迁GaSb基多量子阱激光器的......
采用半经验的Slater-Koster参数紧束缚方法以及Tersoff理论研究了GaN/AlxGa1-xN(X=0.1,0.2,…,0.5)异质结的带阶.结果表明,GaN/Alx......
介绍了用射频共溅法制备的Fe/In 2O 3 磁性颗粒膜的光吸特性。发现在嵌入Fe颗粒的磁性颗粒膜中，电子的带间跃迁由ln 2 O 3的直接跃......
凝聚态光谱是研究半导体光学性质的一个重要手段，本文通过透射光谱、反射光谱、发光光谱和拉曼光谱等光谱研究方式，对纤锌矿结构的Ⅲ......
摘要：量子级联激光器(QCLs)是量子裁剪技术及量子设计应用在中远红外波段激光发射器设计上的优秀成果。对量子级联激光器的研究设计......
