形变势相关论文
本文基于第一性原理计算和波尔兹曼方程,在形变势理论框架下[1,2],研究了声子散射对氮化硼杂化石墨烯[3]电荷输运性质的影响.氮化......
石墨烯带隙为零、开关比低，而打开带隙又会导致其迁移率急剧下降.因此，如何制造既具有大开关比又表现高迁移率的石墨烯器件成为......
基于形变势理论,分析了应力下硅基半导体的禁带变窄效应和迁移率增强效应。建立了IGBT芯片模型,研究了应力对IGBT电性能的影响,分......
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过 Ｉｎ Ｐ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｉｎ Ｐ／ Ｇａ Ｐ、 Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ／ Ｇａ Ａｓ......
‘半导体的绝对形变势是描述材料某一能级位置(比如价带顶和导带底) 相对于体积形变的关系，这是描述半导体中电声相互作用的一个重......
采用改进了的线性组合算符和微扰法,研究极性半导体中电子与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质.讨论......
有不少的极性晶体，电子与表面光学（ＳＯ）声子耦合强，但与表面声学（ＳＡ）声子耦合弱，研究电子与ＳＯ声子耦合强，与ＳＡ声子耦合弱的极性与晶体中与形变势相互......
本文采用改进了的线性组合算符法导出了极性半导体中与形变势相互作用的表面极化子的有效哈密顿量。讨论了极性半导体中表面极化子......
有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变......
本文采用线性组合算符方法，研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。导出了与形变势相互作用的表面......
本文研究晶体中通过形势二维磁极化子的性质，采用线性组合算符法和变分法导出了二维电子与表面光学声子和表面声学声子弱耦合二维磁......
本文研究了极性半导体中表面磁极化子的有效质量。采用改进了的线性组合算符法导出了极性半导体中与形变势相互作用的表面磁极化子......
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过ＩｎＰ／ＩｎＡｓ、ＩｎＰ／ＧａＰ、ＧａＡｓ／ＩｎＡｓ、ＧａＰ／ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ等应变层异质结在......
采用从赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ，Ｓｉ能带结构，平均键能和带阶参数的影响。计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均......
本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了界面应变对ＧａＮ，ＡｌＮ应变层的能带，平均键能Ｅｍ和带阶参数Ｅｍｖ的影响。借助于带阶参数形变势的计算，预言......
利用形变势模型分析了单层碳纳米管中的电子和长波声学声子的相互作用,并且利用费米黄金规则计算了金属单层碳纳米管的电子弛豫时......
本文采用推广的Landau-Pekar强耦合极化子的波函数，分别讨论一维以及二维晶体中的强耦合形变势声学极化子的基态性质，得到系统的基态......
近年来，磁场中极性晶体表面极化子的性质已引起人们的广泛关注。arsen[1]采用四级微扰法计算了磁场中二维极化子的基态能量。wei等[......
我们对sp+sp2杂化的碳同素异形体—石墨炔,以及锡烯等层状体系的电子结构、形变势、电声耦合和电荷输运性质进行了回顾。有些二维......
采用改进了的线性组合算符和微扰法，研究极性半导体中电子与表面光学声子耦合强，与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。讨论了......
为找到未来半导体晶体管合适的沟道材料,计算了14种MX2（其中M=Mo,W,Sn,Hf,Zr和Pt,X=S,Se和Te）型二维半导体载流子有效质量、带隙以及......
基于形变势理论,本文将声学声子、光学声子以及压电效应（1H结构）对载流子的散射考虑在内,得到了对二维单层材料迁移率较为精准的近似......
本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的......
