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微波阻抗显微术相关论文
界面和能带结构对电荷俘获型器件存储性能影响的研究
SONOS(Si/SiO2/Si3N4/SiO2/poly-Si)型存储器具有写入/擦除速度快、功耗低、数据保持时间长以及与CMOS工艺兼容等优点,被广泛应用......
学位
电荷俘获型存储器
高-k材料
界面态
能带结构
微波阻抗显微术
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