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感应耦合等离子体辅助相关论文

离子源辅助高功率脉冲磁控溅射制备N掺杂p型ZnO薄膜

氧化锌（Zn O）为宽禁带（3.37 e V）半导体材料,可以通过掺杂实现半导体到导体的电性变化,可用于制备透明导电薄膜和半导体薄膜。更为重要......

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高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS) 氮掺p-type氧化锌薄膜(p-ZnO:N)薄膜感应耦合等离子体辅助高氮掺浓度

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