本文首先从理论上分析ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ隧氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响，然后给出了在不同擦写条件下ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ存储管的阈值电压与......

文章将讨论不挥发存储器单元－ＦＬＡＳＨ的擦写过程，包括对擦写原理的描述重点其擦写过程的电流进行分析，建立了适用于该单元的电流模型，并结合本......

升级BIOS时，在BIOS擦写过程中主机掉电，电脑不能正常启动，开机后，BIOS自检发出一声长鸣，然后黑屏死机。......