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有源单刀双掷开关相关论文
基于氮化镓工艺的D波段单片电路研究
本文基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,提出了D波段(110-170 GHz)一体式多功能芯片链路架构,并对芯片中关键的有源单刀双掷......
学位
D波段
氮化镓
有源单刀双掷开关
功率放大芯片
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