通过不同气体（NO、N2O、NH3）对Ge衬底进行表面预处理，生长GeOxNy界面层，然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜，制备HfTiO/GeOxNy叠层......

采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数K栅介质薄膜，研究了不同气体（N2、NO、N2O）淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体（MOS......

采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气......

采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度（EOT）的HfTiO高κ栅介质薄膜，研究了湿N2和干N2气氛退火对Ge MOS电容电特......

随着互补金属氧化物半导体(CMOS)器件特征尺寸的不断缩小,Si基MOS器件的发展达到了其物理极限,新的沟道材料,如应力Si、应力SiGe合......