通过对Ｖａｒｉａｎ３１８０磁控射台溅射的Ａｌ－Ｓｉ％合金膜工艺的研究，得到了满足工艺线要求的工艺条件，完成了大规模集成电路的金属化要求，从而提高了集成电路的高......

论述了具有立方织构的金属镍基底上，采用射频射的方法制备了ＣｅＯ２缓冲层。以Ａｒ／Ｈ２混合气体作为溅射气体，有效地抑制ＮｉＯ的形成，获得纯ｃ轴了向的ＣｅＯ２薄膜。......