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突变结相关论文

VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计

本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在......

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VDMOS 突变结外延层击穿电压导通电阻不准确性优化设计经验关系穿通耗尽层

激光对硅片掺杂和退火的研究

集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低......

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表面浓度激光退火微波二极管按比例缩小方块电阻热扩散突变结单元尺寸微细加工离子注入

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