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GaN凭借其优越的光电性能,已经成为最有前景的半导体材料之一,并且已经被广泛应用于各种器件中,如发光二极管、高迁移率场效应管、......
通过第一性原理计算研究了镧系元素掺杂ZnO的电子结构和光学性质。结果表明:单层ZnO中掺杂形成能低于体ZnO的形成能。较Zn原子而言......
采用基于时域有限差分技术的数值模拟计算和时间耦合模理论,研究了引入Kerr非线性的光子晶体缺陷对的非对称透射特性,侧重于找到提高......
本论文拟通过理论分析和数值模拟方法来分析光子晶体(PC)缺陷的性质和应用。首先,我们通过数值模拟方法观察线性光子晶体缺陷的透射......