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本文介绍了防病毒软件固化电路的设计方法。它利用一种容量为1K×8的MASK ROM来实现。并具体介绍了译码器和单元的设计,单元采用并......
本文将介绍一种256k字×1位,存取时间为100nS的动态RAM,这种RAM是通过分辩其内部CAS预充电时间差以页面型和半字节型工作。另外,......
高性能的 CMOS集成电路即将取代非常复杂的 n-NOS随机存取存贮器
High-performance CMOS integrated circuits will soon replace......
本章将描述用单层多晶硅或双层多晶硅,低阻多层互连及2微米工艺技术制造的256k×1动态RAM,也将讨论容错技术,半字节模式和超前于R......
用常规工艺技术已研制成功一种存储电容器几乎占用了全部单元面积的DRAM单元。因此我们发现,即使用300A的介质材料,该存储电容也......
本文对近期发展起来的CMOS-DRAM的设计方案和性能优点进行了全面的分析。做在N阱内的单元阵列在抗α软失效方面有很大的好处。利用CMOS的特点使外......
数字话音合成器的设计(续)无磁带录音机的制作方法三、数据存储电路(存储器)的设计数据存储电路(存储器)是用来存储由调制解调电路所调制......