负微分相关论文
<正>1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形......
研究了晶闸管处于负微分电导状态下的非线性动力学行为。文中首先建立了晶闸管的非线性动力学方程：其次分析了动力学方程的线性稳定......
随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ElectrostaticDischarge, ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和......
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分......
随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应......
用能带理论分析一维超晶格电子在直流外场作用下的阻尼运动，对Ｂｌｏｃｈ振荡和负微分电导现象给出清楚的物理图象，并通过数值解得到有阻尼时振......
目前,利用n型GaAs材料的负微分迁移率特性这一原理制成的耿器件是当前微波器件的重要种类之一。因此对耿器件进行计算机模拟就显得......
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