赝配高电子迁移率晶体管相关论文
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境.研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特......
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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研制了一种 T 型栅长为90 nm 的 InP 基 In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25 ......
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附......
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介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现。......
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运用微波在片测试技术和IC—CAP模型提取软件对总栅宽为850p．mPHEMT器件进行了大信号建模，并利用此模型，采用分布式放大器与电抗匹配......
介绍了一款自主设计采用0．25μmGaAsPHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果。该......
介绍了一种Ku波段内匹配微波功率场效应晶体管。采用GaAs PHEMT 0．25μm T型栅工艺，研制出总栅宽为14．4mm的功率PHEMT管芯。器件由四......
设计并采用优化的MBE工艺制备了GaAsPHEMT结构材料，运用非接触霍尔、霍尔等测试方法研究了影响p。和ns的主要因素，优化了OaAs基GaAsP......
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某......
This work is about the development of a super low noise amplifier with minimum power consumption and high gain for sever......
采用PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片S波段低噪声放大器。利用HP IC-CAP软件系统提取PHEMT管芯的EEHEMT1模型参数，并结合......
报告了研制的9.6 mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo＝11.2 GHz、Vds＝8.5 V时该器件输出功率37.28 dBm,功率增益9.5 dB,功率附加效率44.7......
针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400 ......
报道了基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源......
介绍了用于SDH系统STM-64速率光发射机用的激光二极管/光调制器驱动器集成电路的设计。电路采用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT......
采用增强/耗尽型（E/D）结构的赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等......
报道了一种基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管工艺的两级级联结构的微波单片集成低噪声放大器。该低噪声放大器为光纤射频组网技术......
利用0.25μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级......
报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50μm GaAs ......
S波段单片低噪声放大器采用了0．5μm φ3英寸(76．2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，由三级自偏电路构成，单电源(+5V)供电．对3英寸......
采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs／InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT)，测得其跨导为522mS／mm，沟道电流密度达4......
报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器．该放大器是采用国际先进的0．25μmP HEMT工艺技术加工而成．电路......
设计、制造和测试了基于0·25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为60......
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺......
优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式......
采用0.25μm AlGaAs／InGaAs／GaAs PHEMT工艺技术，研制出了6～18GHz三级MMIC全匹配宽带功率放大器单片，在6～18GHz的工作频率下，放大器的平均......
提出了一种新结构单片集成增强／耗尽型（E／D）InGaP／AlGaAs／InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMTs）．外延层材料通过分子束外延技术生长，在室温......
利用分子束外延生长了GaAs/AlAs/GaAs夹层结构材料,通过侧向湿法热氧化技术,成功制作了GaAs SOI衬底,并在其上生长了PHEMT材料结构......
采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款高性能25~30GHz 6位单片数控衰减器芯片。电路采用6个基本衰减单元级联结......
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有......
报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该......
报道了采用双场板设计的GaAs PHEMT器件,该器件栅长为0.5μm,工作电压28V,在2GHz下饱和输出功率2.18W/mm,功率附加效率PAE=67%。......
移相器是毫米波相控阵雷达收发系统重要电路,基于安捷伦IC-CAP软件及砷化镓原片工艺线,研究了砷化镓毫米波开关器件测试、建模技术......
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在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结......
基于GaAsPHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）材料结构的设计，材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取，完......
描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶（CAR）以及分辨率......
采用恒定功耗高温加速的试验方法，搭建了相关的试验系统，对高温工作寿命试验（HTOL）方法在功率GaAsMMIC领域的应用进行了一些探索。试验......
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某......
研制了一种T型栅长为90nm的InP基In0.52Al0.48 As/In0.65 Ga35As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2x25μm,展现了......
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本文介绍了微波单片集成电路(MMIC)的历史、发展概况和今后的趋势，叙述了微波单片集成电路中无源器件的工艺，分别分析电阻、电容和电......
微电子技术的高速发展和军事需求是推动微波单片集成电路(MMIC)向前发展的主要力量,MMIC可广泛应用于制导、雷达和卫星通信等领域,......
采用增强／耗尽型（E／D）结构的赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）技术，研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器，具有衰减精度准确、承受功......
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报道了Ka波段的PHEMT功率放大器的设计和研制.PHEMT器件采用0.2 μm栅长的Φ 76 mm GaAs工艺制作,并利用CAD技术指导材料生长和器......
介绍了基于光刻机的150 nm T型栅Ga As PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm Ga As工艺线上......
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报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GH......
报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片......
随着半导体技术的蓬勃发展,越来越多的高性能半导体材料被开发出来,广泛运用到人类生产生活的各个领域。在众多半导体材料中,GaAs......
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