消光式成像椭偏技术研究

来源 :第一届全国椭圆偏振光谱学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:YGLDY1989
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随着微电子技术的快速发展,薄膜应用领域越来越广,确定薄膜参数对于薄膜特性研究具有很大意义,而椭偏技术是测量薄膜参数最有效的方法之一,具有非破坏性、非接触性以及高测量精度等诸多优点.成像椭偏技术的研究在国内并不成熟,在大视场情况下一次性清晰成像、精度与检测速度提高等方面还有很大的发展空间.本文提出一种消光式成像椭偏技术,采用光度法实现薄膜光学常数的快速测量,将它与表面等离子体效应结合可以实现超薄薄膜的测量.
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