【摘 要】
：
针对水解溶胶-凝胶还原氮化法制备TiN薄膜时,所需原料金属钛醇盐价格相对较高,且其水解过程不易控制等问题。本文以四氯化钛和无水乙醇为前驱体原料,按C/Ti摩尔比为12∶1引入碳源聚乙烯吡咯烷酮(PVP,分子量为1300000),采用工艺简单的非水解溶胶-凝胶碳热还原氮化技术,在流量为32ml/min高纯N2中,经1300℃碳热还原氮化5h,在石英玻璃基片上制备出金黄色光泽的TiN薄膜。利用XRD、
【机 构】
：
河北联合大学材料科学与工程学院 河北唐山 063009;河北省无机非金属材料重点实验室 河北唐山 063009
【出 处】
：
第十四届全国青年材料科学技术研讨会
论文部分内容阅读
针对水解溶胶-凝胶还原氮化法制备TiN薄膜时,所需原料金属钛醇盐价格相对较高,且其水解过程不易控制等问题。本文以四氯化钛和无水乙醇为前驱体原料,按C/Ti摩尔比为12∶1引入碳源聚乙烯吡咯烷酮(PVP,分子量为1300000),采用工艺简单的非水解溶胶-凝胶碳热还原氮化技术,在流量为32ml/min高纯N2中,经1300℃碳热还原氮化5h,在石英玻璃基片上制备出金黄色光泽的TiN薄膜。利用XRD、RAMAN和FE-SEM表征了TiN薄膜的物相组成及显微结构,结果表明：薄膜晶相为具有NaCl型面心立方结构的δ-TiN,薄膜中TiN晶体在其最小应变能晶面(111)上择优取向生长明显,部分晶粒初步呈现三棱椎状,且棱角分明,晶界清晰,薄膜厚度在200nm左右。测定TiN薄膜显微硬度及其在紫外可见区域透过率发现,石英玻璃基片表面存在TiN薄膜后,其显微硬度由745Kg/mm2增大到1275Kg/mm2,而在可见光范围内透过率峰值则接近9％。
其他文献
具有原子有序排列结构的L10-FePt垂直薄膜，成为超高密度磁记录硬盘、纳米复合永磁体以及诸多自旋电子学器件中的关键材料。目前，普遍采用高温退火的方式来实现L10有序化相变过程，这会导致FePt晶粒的长大、界面粗糙、原子相互扩散等。因此，如何在无热处理工艺或尽可能低的温度下进行热处理，实现L10-FePt薄膜的快速有序化相变具有十分重要的研究意义。
本文采用磁控溅射沉积技术，分别在硬质合金和单晶硅基片表面沉积无定形碳膜(a-C)，系统地研究了溅射的工艺条件，包括溅射气压、溅射偏压和溅射温度对于碳膜性能的影响，并利用原子力显微镜，拉曼光谱和纳米压痕等技术手段表征其显微结构和力学性能。研究结果表明：(1)溅射沉积的a-C薄膜硬度为10GPa～13GPa；(2)溅射偏压和溅射温度对sp2/sp3含量比影响较大；(3)-100V溅射偏压的施加明显导致
良好的学风可以为学生营造良好的学习环境,同时也能有效推动高校的发展。此外,高校教学过程中的课堂学风建设也在潜移默化中对学生综合素质的全面提升产生影响。本文在对现阶段高校学风建设进行剖析与反思的基础上总结发展经验,提出相应的发展建议。
构建农村居民持续增收机制,对于顺利开启全面建设社会主义现代化国家新征程具有重要意义。以线上问卷调查为依据,本文呈现了新冠肺炎疫情影响农村居民收入的程度和特点,揭示出农村居民收入受影响程度较大的原因在于农村公共卫生服务体系薄弱、面向农民工的公共服务体系不完善、小微企业和个体工商户抗风险能力低,农业经营主体和农业服务主体质量不高。结合农村居民收入增长结构的动态变化,针对新冠肺炎疫情冲击暴露出的农村居民
在冷喷涂领域，前人已经提出了不同的机理以理解涂层与基体间的结合。本文试图从力学角度来进一步分析这一问题。通过有限元模拟，本文预测了单个铜颗粒碰撞到铜基体上时，其克服回弹、发生沉积所需的最小结合强度随初速度的变化趋势。结果显示，在260m/s～350m/s的初速度范围内，克服回弹所需的最小结合强度迅速增加，当初速度高于350m/s时，则依赖于颗粒与基体间的摩擦系数。一个近似的理论分析说明，克服回弹所
本文采用原位聚合法制备出了一种ZnO/MWCNT/聚甲基丙烯酸正丁酯三元复合膜材料.采用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱(Raman)和万能拉伸试验机对所得的材料的光学性能、结构特性和力学性能进行了测试.测试结果表明,所制备的三元复合膜材料在可见光区的透过率高达87.3％,在紫外区的透过率几乎为零,具有良好的紫外屏蔽能力；电镜表征结
简要介绍了EB-PVD技术的特点以及EB-PVD技术在纤维增强钛基复合材料制备中的应用，并着重阐述了EB-PVD过程的主要工艺参数。利用EB-PVD技术制备了SiC/Ti6Al4V复合材料先驱丝，分析了纤维预热温度对钛合金涂层显微结构的影响。
Interaction in inorganic/organic interface plays decisive role on resistive switching(RS)mechanisms when current is injected.It is excited to utilize these interface effects to fabricate random access
采用电子束蒸镀的方法制备Ti/HfOx/Pt器件.通过测量器件的I-V曲线,研究器件的阻变特性.结合X 射线光电子能谱和透射电子显微镜研究,分析Ti/HfOx/Pt器件的阻变作用机制.X射线光电子研究表明当器件处于高阻态时,Hf4+所占Hf元素含量的百分比由Ti/HfOx界面向HfOx/Pt界面递增；而在低阻态时, Hf4+所占Hf元素含量的百分比则无明显变化.由此可确定氧空位缺陷形成的导电细丝在