氧化锡基薄膜晶体管的掺杂研究

来源 :中国真空学会2016学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cxr1682000
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  自从2004 年Hosono 小组在Nature 杂志上发表非晶IGZO 薄膜晶体管(TFT)以来,氧化物TFT 以其高迁移率、高均匀性、高透明性和可低温制备的优点[1],作为研究热点一直持续了十多年.2012 年IGZO TFT 的工业化量产成为氧化物TFT 走向未来新型显示的另一重要里程碑.但是,In 资源非常宝贵,其地球含量少且价格昂贵.
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等离子体中氢含量与等离子体性能密切相关,通常用氢氘比(H/(H+D))表示托卡马克等离子体中的氢含量[1]。在EAST装置上,降低氢氘比的主要目的 是提高ICRF少子加热效率、避免聚变燃料的稀释以及提高H模的功率阈值。同时,氢氘比在一定程度上也反映了其他杂质气体从壁材料中的释放量。实验研究发现,影响等离子体中氢含量的主要因素是壁温及壁材料的种类。经过长时间(600 小时)高温(~200 度)烘烤的
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