涡旋可控的集成化光自旋发射器设计与分析

来源 :中国真空学会2016学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wuxing2000
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  本文设计一款利用真空外延生长技术和半导体微电子工艺,基于微型环形谐振腔的涡旋可控光发射器。利用微电子工艺制备包括环形谐振腔、硅基光开关、硅基全反射器;利用 真空外延生长技术制备 LiNbO3 光波导。根据回避原理设计微型环形谐振腔,并且在其内环 分布着一定数量的等间距角光栅结构,角光栅的衍射光与环形谐振腔的谐振光束沿着方位角 方向耦合,使原本受限的腔内光束辐射到自由空间,辐射的光束在自由空间中具有旁瓣结构,也就是涡旋光束。设计特殊的光波导结构,包括带有硅基全反射的弧形光波导,把入射光束 耦合到微腔中,同时减少微腔的泄漏,提高了耦合效率;在 Y 型波导区域制作一个 Si 结型 的电控光开关,起着实时选择和控制光束进入环形腔的方向,使环形谐振腔涡旋光发射器能 够根据需要产生左旋或者右旋涡旋光束;光导起着传播光波的作用。通过器件建模和编程计算分析,得到该集成化涡旋可控光自旋发射器各个组成单元的光电性能,确定所设计的集成化光自旋发射器可作为涡旋光通信系统的编码和解码器。
其他文献
Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜在传感、驱动、声表面波、信息存储等器件中有重要的应用.PZT 薄膜的畴结构对器件的性能有很大的影响.最近,通过对薄膜施加一个应变梯度,利用挠曲电效应翻转铁电畴取得了突破,为力/电耦合的新型器件提供了新思路.通常,挠曲电效应只在10 纳米以下厚度的超薄膜中才比较明显.我们观察到,在沉积于DyScO3衬底上的70 纳米厚多畴PZT 薄膜中可以用原子力显微探针施加
薄膜技术在原子钟方面应用广泛。本文对应用于铷钟的光学薄膜和应用于铯钟的二次电子发射薄膜进行了研究。首先进行了合理的膜系结构设计,然后采用蒸发结合离子束辅助沉积制备了带通滤光薄膜;采用磁控溅射制备了二次电子发射薄膜。将带通滤光薄膜构成的滤光片用于铷钟的光学系统,有效降低了铷光谱灯中缓冲气体引起的光学噪声,并提高了铷钟的频率稳定度;将二次电子发射薄膜构成的电子倍增器用于铯钟的信号检测,获得了稳定的检测
利用Matlab 编程,通过增加约束条件,优化计算得到ZnO、Si3N4、SiNO1/2 分别替代Nb2O5 膜层的消影膜。研究发现替代后的膜系透过率(大于85%)、颜色值(透过、反射光谱颜色呈中性),满足消影膜的要求。新的膜系降低了对膜系厚度的控制要求;扩展了消影膜系对高折射率材料的选择范围。
为了探索改进ZnO 纳米材料的新用途,实现便携式可弯曲平板显示,我们研究了柔性衬底上Al 掺杂对于ZnO 纳米材料的场发射性能的影响.本文采用化学气相沉积的方法在铜箔上分别制备了ZnO 和Al 掺杂ZnO(ZnO:Al)纳米材料,对它们的场发射性能进行了对比研究.SEM 图谱显示,两种样品都是呈六方纤锌矿结构的纳米棒阵列,垂直衬底沿C 轴择优生长.ZnO 和ZnO:Al 纳米棒阵列的开启电场(当电
The introduction of spin polarization of electrons in materials consisting of d0 lightelements like carbon and silicon is strongly desirable for spintronics applications.It have beenwidely accepted th
Localized surface plasmon resonance(LSPR)has been widely observed among variousnoble metal(Au,Ag,and Pt)due to the high electron density.However,LSPR is not limited tonoble metals nanostructures and c
CIGSe/Mo 界面处较薄的MoSe2 层促进空穴传输,有利于器件性能提高,而过厚的MoSe2 层使得CIGSe 薄膜太阳电池器件的串联电阻增大,恶化器件性能[1-3].采用脉冲电沉积法制备Cu/In/Ga 金属预制层后续三步后硒化制备CIGSe 吸收层,通过调节三步后硒化工艺实现Ga 含量分布的控制[4].研究发现在CIGSe/Mo 界面处Ga 含量影响MoSe2 的形成.CIGSe 背部Ga
Interfaces(interphase boundaries and grain boundaries(GBs))play an important role in the occurrence of phase transformations in thin solid films.Interface-mediated phase transformations,such as solid
Interface-enhanced high-temperature superconductivity in one-unit-cell(UC)FeSe film on SrTiO3(001)(STO)substrate has recently attracted much attention in condensed matter physics and material science.
研究单根纳米线输运特性对其在纳米电子器件中的应用具有重要意义[1-3]。本文研究了单根氧化铜纳米线室温及变温条件下的电流-电压(I-V)特性,结果表明当外加电压足够高时,可以观察到空间电荷限制电流。根据变温电学特性的结果计算可得,所生长的纳米线缺陷浓度分布在三个范围(图1)。当纳米线未进入空间电荷限制电流的缺陷填充阶段(即欧姆导电阶段),根据Arrhenius 方程算得的激活能也对应分布在三个范围