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半导体光催化这项绿色技术在解决环境污染与能源短缺方面具有广阔的应用前景。然而,对于TiO2,ZnO等传统的半导体光催化剂而言,其带隙较宽且吸收的阈值波长小于～390 nm,只能利用太阳光能中4 ％左右的紫外光部分,大大地限制了这些光催化剂的光催化效率。因此,为了更有效的利用太阳光能中的可见光区域,具有光催化性能的窄带隙半导体材料引起了研究人员的广泛关注[1]。