带隙半导体材料相关论文
单层的MoS2、MoTe2和WSe2等过渡金属硫属化合物是直接带隙半导体材料[1],近几年在基础研究和应用领域都引起了广泛的兴趣。我们......
硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是,由于硅作为间接带隙半导体材料,其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高......
太阳能是取之不尽用之不竭的能源,是解决目前能源危机的根本途径。目前,在各类太阳能电池中,铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池已成为光伏......
ZnS是一种重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.72~3.77eV,在太阳能电池、LED等光电方面有广泛地应用.ZnS具有良好的光学性能,但......