论文部分内容阅读
Filamentary versus Area-scaling Memristive Switching in Oxide Elements
【机 构】
:
JARA-FIT&PGI-7,ForschungszentrumJülich,52425Jülich,andIWE2,RWTHAachenUniversity,52056Aachen,Germany
【出 处】
:
The 23rd International Workshop on Oxide Electronics (第23届国际
【发表日期】
:
2016年10期
其他文献
New Insights into the Creation of High-Mobility Two-Dimensional Electron Gas at Oxide InterfacesCont
会议