【摘 要】
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CMOS 逻辑器件由于其极低的静态功耗，稳定可靠的逻辑性质从而成为电子器件的最主要基本单元。碳纳米管薄膜晶体管由于其优异的电学与机械特性，被认为是制备柔性逻辑器件的主要候选材料。我们研究了影响碳纳米管薄膜晶体管性能的因素，从实验上确证了氧气与水在薄膜晶体管的极性方面具有极其重大的作用，氧气通过掺杂，不仅影响了器件的阈值电压，而且造成了很高的导带杂质态作为电荷陷阱，使器件表现为p 型。
【机 构】
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清华大学物理系,北京 100084
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CMOS 逻辑器件由于其极低的静态功耗，稳定可靠的逻辑性质从而成为电子器件的最主要基本单元。碳纳米管薄膜晶体管由于其优异的电学与机械特性，被认为是制备柔性逻辑器件的主要候选材料。我们研究了影响碳纳米管薄膜晶体管性能的因素，从实验上确证了氧气与水在薄膜晶体管的极性方面具有极其重大的作用，氧气通过掺杂，不仅影响了器件的阈值电压，而且造成了很高的导带杂质态作为电荷陷阱，使器件表现为p 型。
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