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利用改造的国产GSMBE系统和NH<,3>-MBE技术，在C面蓝宝石上外延出了高质量的GaN材料，其室温电子迁移率达300cm<2>/Vs，相应的背景电子浓度为2x10<17>cm<3>。X射线(0002)衍射摇摆曲线半高宽为6 arcmin。在此基础上外延的GaN/AIN极化感应二维电子气材料室温和低温(77K)的电子迁移率分别达到670cm<2>/Vs和1700cm<2>/Vs。