【摘 要】
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本文用Vogl提出的sp3s*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SiC/nc-Si)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱(PL)的关系,并设计出SiC/nc-Si多层薄膜最佳结构为{Si}1{SiC}8,即碳化硅
【机 构】
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中山大学物理系光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文用Vogl提出的sp3s*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SiC/nc-Si)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱(PL)的关系,并设计出SiC/nc-Si多层薄膜最佳结构为{Si}1{SiC}8,即碳化硅层的厚度是纳米硅层厚度的8倍时的超晶格结构蓝光发射的效率最高.实验上,我们在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积含氢非晶SiCx:H(a-SiCx:H)和非晶Si:H(a-Si:H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备出了晶化纳米SiC/nc-Si(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜.利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的结构特性,表明实验上制备出来的超晶格结构稍微偏离设计,它的结构为{Si}1{SiC}5,最后本文对晶化样品的光致发光谱进行研究,详细分析了各个光致发光峰的物理本质.
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