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本文使用清华大学微电子学研究所自主研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/Poly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,研究开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.
两种自主开发的图形外延SiGe工艺研究
【摘 要】
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本文使用清华大学微电子学研究所自主研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/Poly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京,100084
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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