【摘 要】
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利用溶胶-凝胶法制备了CCTO前驱体,分别在800℃和900℃下对前驱体进行煅烧,然后将煅烧的粉体分别在1050℃,1070℃和1100℃下烧结得到CCTO系列陶瓷样品.XRD衍射图谱表明经
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,湖北省核固体物理实验室,武汉430072;郑州轻工业学院物理与电子工程学院,郑州450002武汉大学物理科学与技术学院,湖北省核固体物理实验室,武汉430072郑州轻工业学
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利用溶胶-凝胶法制备了CCTO前驱体,分别在800℃和900℃下对前驱体进行煅烧,然后将煅烧的粉体分别在1050℃,1070℃和1100℃下烧结得到CCTO系列陶瓷样品.XRD衍射图谱表明经800℃和900℃下煅烧后,粉体中CCTO主相已基本形成,但仍含有相当量的杂相；煅烧的粉体经压片高温烧结后所有杂相均全部消失.扫描电镜结果显示合成温度对样品晶粒尺寸及晶界环境有着重要影响,样品的晶粒尺寸随烧结温度的升高而增大；相对于1050℃下烧结的样品,1070℃和1100℃烧结的样品晶粒异常长大并且1100℃下烧结的样品晶界处有富铜相析出.正电子寿命谱和多普勒展宽谱结果表明样品内部的Cu2+空位浓度随烧结温度的升高而增加,并且空位的类型保持不变.在1070℃和1100℃下烧结的样品中,高浓度的缺陷导致样品在低频下介电-频谱稳定性下降,介电损耗值增加,非线性特征弱化.阻抗谱测量结果有力的支持了上述分析观点.
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