【摘 要】
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在充分考虑到自加热和热耦合效应所导致的各发射极指上沿指长方向温度分布不均匀的基础上，建立了可精确模拟多指功率异质结双极晶体管(HBT)三维温度分布的热分析模型。并以6指
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京 100124
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会
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在充分考虑到自加热和热耦合效应所导致的各发射极指上沿指长方向温度分布不均匀的基础上，建立了可精确模拟多指功率异质结双极晶体管(HBT)三维温度分布的热分析模型。并以6指功率HBT为例，利用该模型对具有不同衬底厚度和发射区面积的器件的三维温度分布进行了模拟和比较。分析表明，当发射区面积远小于整个芯片面积时，由于热主要聚集在各发射极指附近，减小衬底厚度对器件热特性的改善能力有限；然而对于发射区面积较大的器件，热将传导到整个芯片，此时器件热特性会随衬底厚度的减小而得到显著改善。
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