【摘 要】
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本研究以溶膠-凝膠法製備具有尖晶石結構的CuCo2O4 薄膜,並且分析其微結構及光電特性.首先以溶膠-凝膠將含有Cu-Co-O 的前驅物塗佈於玻璃基材上,之後再放置空氣爐以250℃恆溫退火1 小時後,再以氧氣於250℃～400℃退火2 小時.經X 光繞射分析後,其結果顯示經氧氣以250℃與300℃退火2 小時後的薄膜晶體結構以CuCo2O4 為主,其晶格常數分別為0.8120 nm 及0.8110
【机 构】
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國立高雄應用科技大學 化學工程與材料工程系
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本研究以溶膠-凝膠法製備具有尖晶石結構的CuCo2O4 薄膜,並且分析其微結構及光電特性.首先以溶膠-凝膠將含有Cu-Co-O 的前驅物塗佈於玻璃基材上,之後再放置空氣爐以250℃恆溫退火1 小時後,再以氧氣於250℃～400℃退火2 小時.經X 光繞射分析後,其結果顯示經氧氣以250℃與300℃退火2 小時後的薄膜晶體結構以CuCo2O4 為主,其晶格常數分別為0.8120 nm 及0.8110 nm.CuCo2O4 的拉曼,特徵峰分別在188 cm-1、470 cm-1、514 cm-1 與660 cm-1.FE-SEM 觀察結果顯示CuCo2O4 薄膜表面為緊而緻密的粒狀型態,厚度約為319 nm～405 nm .薄膜可見光穿透度隨著退火溫度的上升而下降.CuCo2O4 薄膜的直接能隙分別為2.21 eV 及2.17 eV,經過西貝克量測系統量測後證實本實驗所製備的CuCo2O4 薄膜為p 型的半導體薄膜,而退火溫度為250℃時具有較佳的電阻率,值約為2.15 Ω.cm.
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