【摘 要】
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GaAs,InGaAs等半导体材料的导带由Γ、L及X子谷组成,电子在不同的子谷会表现出不同的有效质量及输运特征.在足够强的稳态直流电场作用下,这类半导体材料由于子谷之间的电子散
【机 构】
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中科院固体物理研究所,纳米材料与结构研究室,合肥 230031
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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GaAs,InGaAs等半导体材料的导带由Γ、L及X子谷组成,电子在不同的子谷会表现出不同的有效质量及输运特征.在足够强的稳态直流电场作用下,这类半导体材料由于子谷之间的电子散射会产生负微分电导率和电子速度过冲效应.由于谷间散射动力学常数在亚皮秒范围,可通过亚毫米波段的太赫兹脉冲在时间域进行探测.然而,长期以来受限于太赫兹脉冲电场强度,太赫兹自身电场分量引起的电子谷间散射等非平衡载流子动力学鲜有报道.
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