一种高精度可控CMOS带隙基准源的设计

来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：true51

【摘要】

：

基于境外0.5um标准CMOS工艺,通过二级温度补偿和曲率校正,设计了一种高精度的带隙基准电路结构。借助电阻二次分压网络可产生0.5-3.5V的基准电压和可调的基准电流,使用Spectre进行仿真,仿真结果表明电路在-55-125℃范围内,最高温度系数约为10 ppm/℃,电源抑制比在85 dB以上,5V电源电压时总功耗约13mW,已应用于现场可编程模拟阵列(FPAA)设计中.

【作者】

：

张义忠刘伦才

【机构】

：

中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家级重点

【出处】

：

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

2007年10期

【关键词】

：

基准源电路带隙基准原理温度控制仿真分析

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