快恢复二极管相关论文
本研究重点介绍少数载流子寿命控制技术中的全域少数载流子技术和局域少数载流子技术及不同细分的少数载流子寿命控制技术的优缺点......
近些年来,电子电力技术发展推动了变频电路、汽车电子、开关电源的应用市场不断扩大。而在这些应用中,功率二极管作为最常用的基础......
硅外延片材料是现代大规模集成电路硅器件的基础专用功能材料,硅材料是电子信息产业的基础与支柱材料。其中,硅外延在半导体器件中......
快恢复二极管的生产中发现大量的反向耐压呈现负温度系数的管芯，本文从空间电荷效应的角度，对基区掺杂浓度不同的管芯采用不同的二极......
本文首先提出了在采用Vb=94ρn0.7数学模型，设计双基区P+PINN+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中，引入η=xm-w1=0.25数学模型......
该文报道了对掺金（Ａｕ），掺铂（Ｐｄ）二极管的正向压降￣反恢时间兼容性的实验研究结果。观测到掺Ｐｄ二极管的Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉兼容性较掺Ａｕ，Ｐｔ管更为良好，而按照Ｂａｌｉｇａ建立......
本文介绍了快恢复二极管的反向恢复时间及软度因子的定义，分析了软恢复特性的影响因素，着重介绍了提高器件软度因子的工艺方法。结果......
本文介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)与快恢复二极管(FRD)匹配技术的特点和优势、应用前景以及发展趋势。阐述了器件仿真软件IsE的基......
首先介绍IGCT配套用FRD器件的特点和国内外发展现状,进而说明FRD器件的结构设计原则;详细阐述了FRD器件的粒子辐照技术,并采用质子......
脉冲功率技术是一种将电磁能量在空间和时间上压缩,然后在短时间内释放出巨大电磁能量的技术。在上个世纪,它首先是应用在高能物理......
新能源汽车电池输出的直流电通过IGBT进行逆变,将直流电转换为交流电驱动马达工作,每颗IGBT均需搭配一颗快恢复二极管用作续流。通......
为了在汽车内给手机充电,近日购置了一只车载手机电源转换器,根据使用说明,是从汽车点烟器插座得到的汽车蓄电池12V低压电源.再转......
本文在简单介绍快恢复二极管(FRD)关键参数物理模型理论的基础上,结合仿真数据说明器件结构变化对参数的影响,并以实际流片结果简......
该文报道了对掺金（Ａｕ），掺铂（Ｐｄ）二极管的正向压降￣反恢时间兼容性的实验研究结果。观测到掺Ｐｄ二极管的Ｖ〈，ＦＦ〉￣ｔ〈，ｒｒ〉兼容性较掺Ａｕ，Ｐｔ管更为良好，而按照Ｂａｌｉｇａ建立......
快恢复二极管(FRD)作为开关器件被广泛应用于电力电子系统中。由于功率半导体受控开关器件速度的提高，就要求与之反并联的二极管具......
快恢复二极管(FRD)是电力电子系统中重要的开关器件，它的应用十分广泛。随着人们对开关器件的开关速度需求的提高，对FRD的性能的需求......
近些年来，采用介质隔离技术的单芯片智能功率模块（Intelligent Power Modular,IPM）得到了越来越多的关注。通过将高压功率器件与各类......
600V IGBT(Insulated-Gated Bipolar Transistor)产品广泛应用于电磁炉、微波炉、变频空调、UPS等消费电子中,需要反向并联二极管,......
ZD7-630、1000、1250IGBT 逆变式自动埋弧焊机rn主要特点:rnIGBT模块、快恢复二极管、集成电路、继电器、电流、电压调节器等关键......
专业分销商的倡导者飞捷电子,致力于飞兆(Fairchild)全线电子元件的推广.飞兆产品广泛应用于数字电视,汽车电子、电脑及周边产品、......
本文将讨论业界第一款商用沟道式MOS势垒肖特基（TMBS）整流器的设计和制造工艺。这类器件可以与传统平面肖特基和超快恢复二极管的电......
Vishay推出28颗新的600V和650VFRED Pt Gen Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机模块、UPS、太阳能逆变器、焊机逆......
基于改善快恢复二极管的的动态特性，通过对二极管的横、纵向参数来进行分析，理论上提出了快恢复二极管的设计方法，并且结合SILVACO—T......
日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOsFET—SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A（正向压降2.1V）。通过在不同......
DC／DC变换器的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极......
电磁干扰一直是直流脉宽调速系统中一个很严重的问题,尤其是电力电子器件在开通和关断时刻产生的干扰,它不仅影响系统的控制性能,......
探讨了快恢复二极管制造过程中，选择适当的复合中心能级去调整快恢复二极管软度因子和软度的可行性。实验结果说明，选用σｐ／σｎ比值较小......
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管（FRD）坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结......
2010年5月23日在中国电器工业协会电力电子分会组织的专家评审会上，北京时代民芯科技有限公司150～1200V／2．5～100A快恢复二极管（FRD）芯片通......
士兰微电子在智能功率模块（IPM）领域不断推出新品，近期又发布了高度集成、高可靠性的3相无刷直流电机驱动电路SD30M60AC。模块内置了6......
二极管的反向恢复特性在IGCT-MMC中起着重要的作用。首先介绍快恢复二极管的反向恢复特性,然后在IGCT-MMC拓扑中介绍快恢复二极管......
各位工程师对于CAN总线隔离方案想必都极为熟悉,但可能会遇到CAN总线采用了隔离方案依旧通讯异常的情况。这一类问题应该怎么解决......
项目简介在快恢复二极管的参数中反映二极管开关速度的参数通常是用trr来表征。但是，在实践过程中trr存在许多不确定性。首先，相同的......
随着电力电子技术的微型化、智能化、节能化发展,影响其关键特性的核心部件功率半导体的重要性得到了重新认识,市场需求量也越来越......
功率半导体器件是具有巨大工业应用价值的各种功率变换装置（变流、变频、变压）的核心。在装置中用于续流、整流、吸收、泄放、阻尼等......
为了在汽车内给手机充电，近日购置了一只“车载手机电源转换器”，根据使用说明，是从汽车点烟器插座得到的汽车蓄电池12V低压电源，再转......
为满足中高频大功率市场对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和高速恢复二极管(FRD)芯片的需求,通过对IGBT的元胞结构采用背面集电极发射效......
针对直流断路器用压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片电流分布的问题,基于内快恢复二极管(FRD)外IGBT的对称布局方式建立3.3kV/3k......
