静态存储器单粒子翻转截面数值仿真研究

来源 :第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ananluo2009
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该文针对SRAM器件提出了单粒子效应的计算机仿真计算方法。采用宇宙射线重离子与电子器材相互作用的几率模型,在部分地面模拟试验数据基础上,通过数值计算,可得到SRAM器件的σ-LET曲线。仿真计算结果与试验结果的比较分析表明,仿真计算出的σ-LET曲线可应用在SRAM器件空间翻转率的预示分析上,预示结果与美国海军实验室研制的CREME的计算结果十分吻合。研究成功的仿真计算软件地应用于航天抗辐射加固设计上。
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