【摘 要】
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本研究以不同電位相位差(180°)之雙電極推拉式電漿激發化學氣相沉積(Push-PullPECVD)法沉積二氧化鈦薄膜(如圖1)，利用氬氣(20 sccm)輸送四異丙基鈦酸酯(Ti(OC3H7)4)之蒸氣，以氧氣(20 sccm)當電漿激發氣體產生反應，沉積二氧化鈦觸媒薄膜於不銹鋼及玻璃基板上，主要改變不同電漿電源功率(200～400 W)，以提升光觸媒薄膜特性，接著利用高溫退火爐進後續退火處理(
【机 构】
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國立虎尾科技大學 632 國立台北科技大學 106
【出 处】
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第十四届全国太阳能光化学与光催化学术会议
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本研究以不同電位相位差(180°)之雙電極推拉式電漿激發化學氣相沉積(Push-PullPECVD)法沉積二氧化鈦薄膜(如圖1)，利用氬氣(20 sccm)輸送四異丙基鈦酸酯(Ti(OC3H7)4)之蒸氣，以氧氣(20 sccm)當電漿激發氣體產生反應，沉積二氧化鈦觸媒薄膜於不銹鋼及玻璃基板上，主要改變不同電漿電源功率(200～400 W)，以提升光觸媒薄膜特性，接著利用高溫退火爐進後續退火處理(氧氣氣氛下退火500度30分鐘)，退火完成後利用XRD量測薄膜之結晶性，接著利用UV LED模組進行甲基橙及酚降解實驗。
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