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本文研究了Si(001)衬底上GeSi外延膜的粗糙表面形貌,提出了一种新的粗糙表面形貌的形成机制,弥补了目前存在模型的不足.
Si(001)衬底上GeSi外延膜的Crosshatch起源研究
【摘 要】
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本文研究了Si(001)衬底上GeSi外延膜的粗糙表面形貌,提出了一种新的粗糙表面形貌的形成机制,弥补了目前存在模型的不足.
【机 构】
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凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京)
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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