【摘 要】
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光的自旋霍尔效应这一新奇物理现象由于其轨道的自旋锁定效应近年来备受人们关注，相关的理论工作已经揭示了这一奇特效应本质起源于倐逝场的横向自旋特性1.本项工作中，我们实验上基于加载集总元件的二维微带传输线，构造了电单负/磁单负波导.进一步验证了由两种拓扑不等价的单负特异材料所形成的特殊波导结构中实现的光自旋霍尔效应.我们发现一个线性极化的激励源将在两种单负特异材料的界面等价的耦合出两个相反传播方向的导
【机 构】
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同济大学物理科学与工程学院,上海 200092
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光的自旋霍尔效应这一新奇物理现象由于其轨道的自旋锁定效应近年来备受人们关注，相关的理论工作已经揭示了这一奇特效应本质起源于倐逝场的横向自旋特性1.本项工作中，我们实验上基于加载集总元件的二维微带传输线，构造了电单负/磁单负波导.进一步验证了由两种拓扑不等价的单负特异材料所形成的特殊波导结构中实现的光自旋霍尔效应.我们发现一个线性极化的激励源将在两种单负特异材料的界面等价的耦合出两个相反传播方向的导波模.然而，通过控制激励源的自旋特性将有可能打破这种对称性并且实现在特定方向的选择性传导.
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利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察了不同生长参数对纳米线形貌的影响,并系统研究了衬底种类和处理条件、不同生长温度、不同气压以及反应气氛中各气体比例等条件下纳米线的形貌变化。为深入探索可应用于冷阴极、光探测等先进器件中大面积、高质量的GaN 纳米线生长提供了低成本、无污染的选择。
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一维纳米材料由于其特殊而优异的性能得到了人们广泛的关注。近年来，基于一维纳米材料的各种器件都表现出了卓越的性能，比如光电探测，场效应晶体管，太阳能电池等。当构筑这些器件的时候，热循环是不可避免的，因此我们必须充分考虑器件的热稳定性以保障器件的正常工作。
以石墨烯为代表的二维碳基纳米结构表现出独特的电学性能，展示了巨大的应用前景，已成为目前研究的热点。但是石墨烯呈现出零带隙的电子结构，限制了其在纳电子学及光电子学中的应用。因而，利用各种手段对其能带结构进行改造、特别是能隙的打开，是一项重要的研究内容。
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