基于变温拉曼谱的ZnSe纳米带的热膨胀系数研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q999666
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  一维纳米材料由于其特殊而优异的性能得到了人们广泛的关注。近年来,基于一维纳米材料的各种器件都表现出了卓越的性能,比如光电探测,场效应晶体管,太阳能电池等。当构筑这些器件的时候,热循环是不可避免的,因此我们必须充分考虑器件的热稳定性以保障器件的正常工作。
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将高分子有机半导体材料poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-co-(1,4-benzo-{2,1,3}-thiadiazole)(F8BT)旋涂在利用干涉光刻制备的光刻胶光栅的表面,制备了基于DFB微腔的薄膜激光器。利用飞秒激光泵浦探测技术,以400 nm泵浦光激发有机半导体材料F8BT,以超连续白光作为探测光,亦即注入锁定放大的种子光,研究了有机半导体薄
连续变量偏振压缩态光场由于其斯托克斯分量可以直接和原子相互作用而备受关注。连续变量偏振压缩态光场探测时不需要很强的本地振荡光,测量更为方便。在连续变量领域,光的偏振态是光的正交分量在斯托克斯基矢上的投影。
采用溶胶凝胶法在n 型半导体Si(100)基片上旋涂p 型半导体La0.7Ca0.3MnO3 薄膜来研究庞磁阻材料La0.7Ca0.3MnO3 薄膜的光电阻效应[1].利用XRD、SEM 对La0.7Ca0.3MnO3 薄膜样品进行了结构和形貌的表征,结果表明薄膜样品的晶格结构成立方钙钛矿晶体结构,形貌均匀平整.采用量子公司生产的多功能磁强计(VSM)对La0.7Ca0.3MnO3 薄膜的电学性能
最近,冷原子系统中的人工自旋-轨道耦合引起了人们极大的兴趣。我们利用密度矩阵重整化群方法,系统研究了一维自旋-轨道耦合的玻色系统。我们的研究发现,当相互作用依赖自旋的时候,自旋-轨道耦合和相互作用的竞争,系统中会出现丰富的相。
在4d/5d 过渡金属氧化物中,自旋轨道耦合的大小可以与那些基本的相互作用相比,比如电声子或者on-site 库伦相互作用.在最近的有关4d 和5d 过渡金属氧化物的研究中发现,自旋轨道耦合可以很大的改变其电子结构和磁结构.最近的一系列实验,展示了具有准一维结构的4d/5d 过渡金属氧化物R3MO7(R:稀土元;M:4d/5d 过渡金属)1.
本研究制备了背栅MoS2 薄膜场效应晶体管,并将其应用于葡萄糖浓度检测中.该器件包括三个Au/Ni(70nm/10nm)电极和一个葡萄糖溶液测试环境;其中器件的沟道材料为3 层二硫化钼薄膜,沟道材料的长度和宽度分别为1μm 和1.9μm.器件展示出良好的电学性能,其中,迁移率为25.4cm2/(v·s);开关比高达107.实验结果表明,所加栅压为0.5V 时,器件的传感性能和稳定性最好.
近年来,异质结纳米材料由于其新颖的结构及独特的光电特性,引起了广泛而深入的研究.作为异质结纳米材料的一种,半导体异质结纳米线由于可以实现组分及结构可调,且与二维异质结相比可以更有效地释放应力,是制备共振隧穿二极管、发光二极管、场效应晶体管及太阳能电池等的理想材料.InAs 和InSb 是两种重要的Ⅲ-Ⅴ 族半导体,它们具有窄的禁带宽度、极高的电子迁移率和大的g 因子等特征.
4d 钙钛矿关联电子体系(Sr,Ca)n+1RunO3n+1(n=1,2,3,∞)中存在多种自由度,包括电荷、自旋、晶格和轨道间的复杂相互作用,蕴含着丰富的物理现象,是凝聚态物理领域研究的热点与难点.Sr4Ru3O10 是该体系中具有代表性的材料之一,其在TC=105K 发生铁磁转变,随后在TM=50K 左右发生另一个磁相变.
利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察了不同生长参数对纳米线形貌的影响,并系统研究了衬底种类和处理条件、不同生长温度、不同气压以及反应气氛中各气体比例等条件下纳米线的形貌变化。为深入探索可应用于冷阴极、光探测等先进器件中大面积、高质量的GaN 纳米线生长提供了低成本、无污染的选择。
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)在蓝光波段已取得巨大成功,但其在绿、黄光等较长波段的发光效率仍然较低。由位错诱导产生的V 坑可显著提高GaN 基LED 的发光效率。关于V 坑的作用机理,前人提出了V 坑可以屏蔽位错的物理模型1,在一定程度上阐明了GaN 基LED 发光效率对位错密度不敏感的原因;但该模型仍遵循位错密度越低,发光效率越高的传统观点。